/ Produkty / Tranzystor bipolarny SiGe NPN 4,2 V 0,045 A 47 GHz HFE 160 TSFP BFP740FESDH6327 4-Pin

Tranzystor bipolarny SiGe NPN 4,2 V 0,045 A 47 GHz HFE 160 TSFP BFP740FESDH6327 4-Pin

  • Nr art.: 827-5114
  • Producent: Infineon
  • Nr części producenta: BFP740FESDH6327
Tranzystor bipolarny SiGe NPN 4,2 V 0,045 A 47 GHz HFE 160 TSFP BFP740FESDH6327 4-Pin

Opis produktu

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low

Zapytaj o produkt: handlowy@euroimpex.krakow.pl

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.