A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 210 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 300 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,0145 Ohms, Maksymalne napię