/ / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH170N10P 100 V 170 A 3-Pin TO-247
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFH170N10P 100 V 170 A 3-Pin TO-247

  • Nr art.: K1935509
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFH170N10P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 170 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 100 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,009 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K1935509 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.