N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,23 Ohms, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V,