N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 26 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 1200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,46 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 6.5V,