N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 27 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,32 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 4.5V, Maksymalne