N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 115 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 200 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,018 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, M