/ / Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN60N80P 800 V 53 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFN60N80P 800 V 53 A 4-Pin SOT-227B Montaż na panelu

  • Nr art.: K1945350
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFN60N80P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 53 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 800 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,14 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5V, Mak

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K1945350 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.