Tranzystor MOSFET z diodą N-kanałowy IXFP12N50P 500 V 12 A 3-Pin TO-220

  • Nr art.: K1945619
  • Producent: IXYS
  • Nr części producenta: IXFP12N50P

Opis produktu

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS, Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 12 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 500 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 0,5 oma, Maksymalne napięcie progowe VGS = 5.5V, Ma

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K1945619 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.