A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™), Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 4 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 600 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 2,2 oma, Maksymalne napięcie pr