The Radio Frequency Transistors are LDMOS suitable for L-band satellite uplinks and DMOS power transistors in applications ranging from 1 MHz to 2 GHz., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 9 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 80 V, Maksymalne
Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.