High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance., Typ kanału = N, Maksymalny ciągły prąd drenu = 2 A, Maksymalne napięcie dren-źródło = 400 V, Maksymalna rezystancja dren-źródło = 3,4 Ohms, Maksymalne napięcie p