/ / Moduł tranzystorowy IGBT SEMiX603GB12E4p, Ic 1100 A, Uce 1200 V, 11-pinowy, kanał typu:N, -40 → +175°C, SEMiX®3p
  • Po kodzie produktu
    • np. podkładka metalowa 3-4, złącze din43650
  • Po grupie produktów
  • Po producencie

Moduł tranzystorowy IGBT SEMiX603GB12E4p, Ic 1100 A, Uce 1200 V, 11-pinowy, kanał typu:N, -40 → +175°C, SEMiX®3p

  • Nr art.: K12250393
  • Producent: Semikron
  • Nr części producenta: SEMiX603GB12E4p

Opis produktu

Dual IGBT Modules from Semikron in modern low-profile SEMiX® packages suitable for half-bridge power control applications. The modules use solder-free spring or press-fit contacts to allow for a gate driver mounted directly on top of the module, saving sp

Pliki do pobrania

Wyślij zapytanie dot. produktu: ( K12250393 )

cookies Ta witryna używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może służyć Państwu lepiej - polityka plików cookies.