Tranzystor MOSFET N-kanałowy BSS816NW H6327 20 V 1,4 A 3-Pin PG-SOT-323 SMD |
Infineon |
BSS816NW H6327 |
|
Stabilizator napięcia LDO TLE4296G V33 30mA 3,3 V 4 → 45 Vin SCT-595 4% 4+Tab-Pin |
Infineon |
TLE4296G V33 |
|
Stabilizator napięcia LDO TLE4296G V33 30mA 3,3 V 4 → 45 Vin SCT-595 4% 4+Tab-Pin |
Infineon |
TLE4296G V33 |
|
Układ sterowania zasilaniem ITS4300S-SJ-D, 40V, 8-pinowy, DSO, -40 → +125°C |
Infineon |
ITS4300S-SJ-D |
|
Układ sterowania zasilaniem ITS4300S-SJ-D, 40V, 8-pinowy, DSO, -40 → +125°C |
Infineon |
ITS4300S-SJ-D |
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy IPP023N10N5 100 V 120 A 3+Tab-Pin TO-220 |
Infineon |
IPP023N10N5 |
|
Tranzystor MOSFET N-kanałowy IPP023N10N5 100 V 120 A 3+Tab-Pin TO-220 |
Infineon |
IPP023N10N5 |
|
SAK-XE164FM-72F80LR AB 16 bit C166 80MHz 100-Pin LQFP |
Infineon |
SAK-XE164FM-72F80LR AB |
|
SAK-XE164FM-72F80LR AB 16 bit C166 80MHz 100-Pin LQFP |
Infineon |
SAK-XE164FM-72F80LR AB |
|
Tranzystor bipolarny NPN 50 V 0,1 A HFE 110 SOT-23 BC 847C E6433 3-Pin |
Infineon |
BC 847C E6433 |
|
Tranzystor bipolarny NPN 50 V 0,1 A HFE 110 SOT-23 BC 847C E6433 3-Pin |
Infineon |
BC 847C E6433 |
|
Dioda BAT 15-02LRH E6327 110mA 4V TSLP 2-Pin |
Infineon |
BAT 15-02LRH E6327 |
|
Dioda BAT 15-02LRH E6327 110mA 4V TSLP 2-Pin |
Infineon |
BAT 15-02LRH E6327 |
|
Układ sterowania zasilaniem BTS3142D, 42V, 2 + Tab-pinowy, TO-252, -40 → +150°C |
Infineon |
BTS3142D |
|
Układ sterowania zasilaniem BTS3142D, 42V, 2 + Tab-pinowy, TO-252, -40 → +150°C |
Infineon |
BTS3142D |
|
Dioda IDP15E60 przełączająca 15A 600V 131ns TO-220 2+Tab-Pin |
Infineon |
IDP15E60 |
|
Dioda IDP15E60 przełączająca 15A 600V 131ns TO-220 2+Tab-Pin |
Infineon |
IDP15E60 |
|
Tranzystor IGBT IGB30N60H3, Ic 30 A, Uce 600 V, 3+Tab-pinowy, PG-TO-263, kanał typu N, -40 → +175°C, Infineon |
Infineon |
IGB30N60H3 |
|
Tranzystor IGBT IGB30N60H3, Ic 30 A, Uce 600 V, 3+Tab-pinowy, PG-TO-263, kanał typu N, -40 → +175°C, Infineon |
Infineon |
IGB30N60H3 |
|
AC-DC PWM Controller w 650V MOSFET DIP8 |
Infineon |
ICE2QR0665Z |
|